報(bào)告說明:
    博思數(shù)據(jù)發(fā)布的《2015-2020年中國IGBT市場監(jiān)測及投資前景研究報(bào)告》共十三章。報(bào)告是博思數(shù)據(jù)的研究成果，通過文字、圖表向您詳盡描述您所處的行業(yè)形勢，為您提供詳盡的內(nèi)容。博思數(shù)據(jù)在其多年的行業(yè)研究經(jīng)驗(yàn)基礎(chǔ)上建立起了完善的產(chǎn)業(yè)研究體系，一整套的產(chǎn)業(yè)研究方法一直在業(yè)內(nèi)處于領(lǐng)先地位。本IGBT行業(yè)研究報(bào)告是2014-2015年 度，目前國內(nèi)最全面、研究最為深入、數(shù)據(jù)資源最為強(qiáng)大的研究報(bào)告產(chǎn)品，為您的投資帶來極大的參考價(jià)值。
    IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度 快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電 機(jī)、變頻器、開關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。

2008-2015年中國IGBT市場規(guī)模及預(yù)測（按銷售額）

資料來源：博思數(shù)據(jù)整理

報(bào)告目錄：

第一章 IGBT行業(yè)概述 1
第一節(jié) IGBT簡述 1
一、定義及分類 1
二、產(chǎn)品特性 2
三、主要應(yīng)用領(lǐng)域 4
第二節(jié) IGBT的生產(chǎn)工藝 4
第三節(jié) IGBT的型號及用途 10
    IGBT（絕緣柵雙極晶體管）作為新型電力半導(dǎo)體場控自關(guān)斷器件，集功率MOSFET的高速性能與雙極性器件的低電阻于一體，具有輸進(jìn)阻抗高，電壓控制功 耗低，控制電路簡單，耐高壓，承受電流大等特性，在各種電力變換中獲得極廣泛的應(yīng)用。與此同時(shí)，各大半導(dǎo)體生產(chǎn)廠商不斷開發(fā)IGBT的高耐壓、大電流、高 速、低飽和壓降、高可靠、低本錢技術(shù)，主要采用1um以下制作工藝，研制開發(fā)取得一些新進(jìn)展。
    1、低功率IGBT
    IGBT應(yīng)用范圍一般都在600V、1KA、1KHz以上區(qū)域，為滿足家電行業(yè)的發(fā)展需求，摩托羅拉、ST半導(dǎo)體、三菱等公司推出低功率IGBT產(chǎn)品，實(shí)用于家電行業(yè)的微波爐、洗衣機(jī)、電磁灶、電子整流器、照相機(jī)等產(chǎn)品的應(yīng)用。
    2、U-IGBT
    U（溝槽結(jié)構(gòu)）--TGBT是在管芯上刻槽，芯片元胞內(nèi)部形成溝槽式柵極。采用溝道結(jié)構(gòu)后，可進(jìn)一步縮小元胞尺寸，減少溝道電阻，進(jìn)步電流密度，制造相同額定電流而芯片尺寸最少的產(chǎn)品�，F(xiàn)有多家公司生產(chǎn)各種U—IGBT產(chǎn)品，適用低電壓驅(qū)動(dòng)、表面貼裝的要求。
    3、NPT-IGBT
    NPT（非傳統(tǒng)型）--IGBT采用薄硅片技術(shù)，以離子注進(jìn)發(fā)射區(qū)代替高復(fù)雜、高本錢的厚層高阻外延，可降低生產(chǎn)本錢25%左右，耐壓越高本錢差越 大，在性能上更具有特色，高速、低損耗、正溫度系數(shù)，無鎖定效應(yīng)，在設(shè)計(jì)600—1200V的IGBT時(shí)，NPT—IGBT可靠性最高。西門子公司可提供 600V、1200V、1700V系列產(chǎn)品和6500V高壓IGBT，并推出低飽和壓降DLC型NPT—IGBT，依克賽斯、哈里斯、英特西爾、東芝等公 司也相繼研制出NPT—IGBT及其模塊系列，富士電機(jī)、摩托羅拉等在研制之中，NPT型正成為IGBT發(fā)展方向。
    4、SDB--IGBT
    鑒于目前廠家對IGBT的開發(fā)非常重視，三星、快捷等公司采用SDB（硅片直接鍵合）技術(shù)，在IC生產(chǎn)線上制作第四代高速IGBT及模塊系列產(chǎn)品，特 點(diǎn)為高速，低飽和壓降，低拖尾電流，正溫度系數(shù)易于并聯(lián)，在600V和1200V電壓范圍性能優(yōu)良，分為UF、RUF兩大系統(tǒng)。
    5、超快速IGBT
    國際整流器IR公司的研發(fā)重點(diǎn)在于減少IGBT的拖尾效應(yīng)，使其能快速關(guān)斷，研制的超快速IGBT可最大限度地減少拖尾效應(yīng)，關(guān)斷時(shí)間不超過 2000ns，采用特殊高能照射分層技術(shù)，關(guān)斷時(shí)間可在100ns以下，拖尾更短，重點(diǎn)產(chǎn)品專為電機(jī)控制而設(shè)計(jì)，現(xiàn)有6種型號，另可用在大功率電源變換器 中。
    6、IGBT/FRD
    IR公司在IGBT基礎(chǔ)上推出兩款結(jié)合FRD（快速恢復(fù)二極管）的新型器件，IGBT/FRD有效結(jié)合，將轉(zhuǎn)換狀態(tài)的損耗減少20%，采用TO— 247外型封裝，額定規(guī)格為1200V、25、50、75、100A，用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)和功率轉(zhuǎn)換，以IGBT及FRD為基礎(chǔ)的新技術(shù)便于器件并聯(lián)，在多芯片 模塊中實(shí)現(xiàn)更均勻的溫度，進(jìn)步整體可靠性。
    7、IGBT功率模塊
    IGBT功率模塊采用IC驅(qū)動(dòng)，各種驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路，高性能IGBT芯片，新型封裝技術(shù)，從復(fù)合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木 PEBB、電力模塊IPEM。PIM向高壓大電流發(fā)展，其產(chǎn)品水平為1200—1800A/1800—3300V，IPM除用于變頻調(diào)速外，600A /2000V的IPM已用于電力機(jī)車VVVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導(dǎo)彈發(fā)射裝置。IPEM 采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線電感，進(jìn)步系統(tǒng)效率，現(xiàn)已開發(fā)成功第二代IPEM，其中所有的無源元件以埋層方式掩埋在襯底 中。智能化、模塊化成為IGBT發(fā)展熱門。
第四節(jié) IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀 12

第二章 世界IGBT行業(yè)運(yùn)行概況分析 14
第一節(jié)2013-2014年世界IGBT工業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析 14
一、全球IGBT市場需求分析 14
二、世界IGBT應(yīng)用情況分析 18
三、國外IGBT產(chǎn)品結(jié)構(gòu)分析 23
第二節(jié) 2013-2014年世界IGBT行業(yè)主要國家發(fā)展分析 24
一、美國 24
二、日本 25
三、德國 28
第三節(jié) 2015-2020年世界IGBT市場前景預(yù)測分析 31

第三章 IGBT行業(yè)基本情況分析 33
第一節(jié) IGBT行業(yè)發(fā)展環(huán)境分析 33
一、2014年我國宏觀經(jīng)濟(jì)運(yùn)行情況 33
二、我國宏觀經(jīng)濟(jì)發(fā)展運(yùn)行趨勢 40
三、IGBT行業(yè)相關(guān)政策及影響分析 41
第二節(jié) IGBT行業(yè)基本特征 42
一、行業(yè)界定及主要產(chǎn)品 42
二、行業(yè)在國民經(jīng)濟(jì)中的地位 42
三、IGBT行業(yè)特性分析 43
四、IGBT行業(yè)發(fā)展歷程 46
五、國內(nèi)市場的重要?jiǎng)討B(tài) 46
第三節(jié) 國際IGBT行業(yè)發(fā)展情況 47
一、國際IGBT行業(yè)現(xiàn)狀分析 47
二、主要國家IGBT行業(yè)情況 47
三、國際IGBT行業(yè)發(fā)展趨勢分析 48
四、國際市場的重要?jiǎng)討B(tài) 48

第四章 2013-2014年我國IGBT行業(yè)運(yùn)行分析 52
第一節(jié)2013-2014年我國IGBT行業(yè)發(fā)展?fàn)顩r 52
一、我國IGBT行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀分析 52
二、我國IGBT行業(yè)市場特點(diǎn)分析 53
三、我國IGBT行業(yè)技術(shù)發(fā)展?fàn)顩r 54
第二節(jié) 我國IGBT行業(yè)存在問題及發(fā)展限制 54
一、主要問題與發(fā)展受限 54
二、基本應(yīng)對的策略 57
第三節(jié) 我國IGBT上、下游產(chǎn)業(yè)發(fā)展情況 58
一、IGBT行業(yè)上游產(chǎn)業(yè) 58
二、IGBT行業(yè)下游產(chǎn)業(yè) 62
第四節(jié) 2013-2014年中國IGBT行業(yè)動(dòng)態(tài)分析 65

第五章 IGBT行業(yè)生產(chǎn)分析 68
第一節(jié) IGBT行業(yè)總體規(guī)模 68
第二節(jié) IGBT產(chǎn)能概況 69
一、2012-2014年產(chǎn)能分析 69
二、2015-2020年產(chǎn)能預(yù)測 69
第三節(jié) IGBT產(chǎn)量概況 70
一、2012-2014年產(chǎn)量分析 70

2010-2014年中國IGBT產(chǎn)量情況統(tǒng)計(jì)

資料來源：博思數(shù)據(jù)整理

二、產(chǎn)能配置與產(chǎn)能利用率調(diào)查 70
三、2015-2020年產(chǎn)量預(yù)測 72
第四節(jié) IGBT產(chǎn)業(yè)的生命周期分析 72

第六章 IGBT行業(yè)競爭分析 75
第一節(jié) IGBT行業(yè)集中度分析 75
第二節(jié) IGBT行業(yè)競爭格局 75
第三節(jié) IGBT行業(yè)競爭群組 76
第四節(jié) IGBT行業(yè)競爭關(guān)鍵因素 77
一、價(jià)格 77
二、渠道 78
三、產(chǎn)品/服務(wù)質(zhì)量 78
四、品牌 79

第七章 2013-2014年IGBT行業(yè)進(jìn)出口現(xiàn)狀與趨勢分析 81
第一節(jié) 出口分析 81
一、出口量及增長情況 81
二、IGBT行業(yè)海外市場分布情況 81
三、經(jīng)營海外市場的主要品牌 81
第二節(jié) 進(jìn)口分析 82
一、進(jìn)口量及增長情況 82
二、IGBT行業(yè)進(jìn)口產(chǎn)品主要品牌 82

第八章 2012-2014年中國IGBT行業(yè)總體發(fā)展?fàn)顩r 83
第一節(jié)中國IGBT行業(yè)規(guī)模情況分析 83
一、行業(yè)單位規(guī)模情況分析 83
二、行業(yè)人員規(guī)模狀況分析 83
三、行業(yè)資產(chǎn)規(guī)模狀況分析 84
四、行業(yè)市場規(guī)模狀況分析 84
第二節(jié) 中國IGBT行業(yè)產(chǎn)銷情況分析 85
一、行業(yè)生產(chǎn)情況分析 85
二、行業(yè)銷售情況分析 85
三、行業(yè)產(chǎn)銷情況分析 85
第三節(jié) 中國IGBT行業(yè)財(cái)務(wù)能力分析 86
一、行業(yè)盈利能力分析與預(yù)測 86
二、行業(yè)償債能力分析與預(yù)測 86
三、行業(yè)營運(yùn)能力分析與預(yù)測 87

第九章 IGBT重點(diǎn)企業(yè)發(fā)展分析 88
第一節(jié) 株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司 88
一、企業(yè)概況 88
二、2012-2014年經(jīng)營狀況 88
三、企業(yè)競爭優(yōu)勢分析 92
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 92
第二節(jié) 江蘇長電科技股份有限公司 93
一、企業(yè)概況 93
二、2012-2014年經(jīng)營狀況 93
三、企業(yè)競爭優(yōu)勢分析 97
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 98
第三節(jié) 上海貝嶺股份有限公司 98
一、企業(yè)概況 98
二、2012-2014年經(jīng)營狀況 99
三、企業(yè)競爭優(yōu)勢分析 103
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 103
第四節(jié) 廈門宏發(fā)電聲股份有限公司 104
一、企業(yè)概況 104
二、2012-2014年經(jīng)營狀況 104
三、企業(yè)競爭優(yōu)勢分析 108
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 109
第五節(jié) 天津中環(huán)半導(dǎo)體股份有限公司 110
一、企業(yè)概況 110
二、2012-2014年經(jīng)營狀況 111
三、企業(yè)競爭優(yōu)勢分析 115
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 116
第六節(jié) 湖北臺基半導(dǎo)體股份有限公司 118
一、企業(yè)概況 118
二、2012-2014年經(jīng)營狀況 118
三、企業(yè)競爭優(yōu)勢分析 122
四、企業(yè)發(fā)展戰(zhàn)略分析 123

第十章 IGBT行業(yè)投資策略分析 125
第一節(jié) 行業(yè)發(fā)展特征 125
一、行業(yè)的周期性 125
二、行業(yè)的區(qū)域性 125
三、行業(yè)經(jīng)營模式 125
第二節(jié) 行業(yè)投資形勢分析 126
一、行業(yè)發(fā)展格局 126
二、行業(yè)進(jìn)入壁壘 127
三、行業(yè)SWOT分析 128
四、行業(yè)五力模型分析 130
第三節(jié) IGBT行業(yè)投資效益分析 131
一、2014年IGBT行業(yè)投資效益分析 131
二、2015-2019年IGBT行業(yè)投資方向 131
三、2015-2019年IGBT行業(yè)投資建議 132
第四節(jié) IGBT行業(yè)投資策略研究 133

第十一章 2015-2020年IGBT行業(yè)投資機(jī)會(huì)與風(fēng)險(xiǎn)展望 135
第一節(jié) 2015-2020年IGBT行業(yè)投資機(jī)會(huì) 135
一、2015-2020年IGBT行業(yè)區(qū)域投資機(jī)會(huì) 135
二、2015-2020年IGBT需求增長投資機(jī)會(huì) 136
第二節(jié) 2015-2020年IGBT行業(yè)投資風(fēng)險(xiǎn)展望 137
一、宏觀調(diào)控風(fēng)險(xiǎn) 137
二、國際競爭風(fēng)險(xiǎn) 137
三、供需波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn) 137
四、技術(shù)創(chuàng)新風(fēng)險(xiǎn) 137
五、經(jīng)營管理風(fēng)險(xiǎn) 138
六、產(chǎn)品自身價(jià)格波動(dòng)風(fēng)險(xiǎn) 138

第十二章 IGBT行業(yè)發(fā)展趨勢分析 139
第一節(jié)2015-2020年中國IGBT市場趨勢分析 139
    據(jù)市場的近幾年來的數(shù)據(jù)分析得出，著名商家英飛凌、三菱電機(jī)、富士電機(jī)等大企業(yè)在絕緣電壓高達(dá)3300V的產(chǎn)品方面實(shí)力很強(qiáng)。不過從收益方面來看，600～900V的產(chǎn)品所占市場最大，更便于商家獲利和相關(guān)熱銷產(chǎn)品的開發(fā)。
    部門企業(yè)為此擴(kuò)展了IGBT電子功率產(chǎn)品的研發(fā)，更是瞄準(zhǔn)了白色家電及相機(jī)閃光燈等銷量大的用途，還準(zhǔn)備涉足低壓（200～600V）市場。這些都是 面向普通消費(fèi)者的用途，因此IGBT廠商的苦惱除了與超結(jié)MOSFET（SJ-MOSFET）的競爭以外，還有價(jià)格壓力。但是，市場整體將實(shí)現(xiàn)增長。
    就市場的動(dòng)態(tài)趨勢而言，如果從減輕成本來看，成本的削減可通過改進(jìn)設(shè)計(jì)和縮小芯片尺寸來實(shí)現(xiàn)。英飛凌的IGBT芯片尺寸從第1代到第5代已縮小了 60～70%。最新的Field Stop Trench（場截止溝道）型器件也減小了晶圓厚度。英飛凌準(zhǔn)備將晶圓厚度減至50～70μm，甚至40μm。而三菱電機(jī)則為在一個(gè)芯片上集成更多單元， 減小了溝道尺寸。另外，IGBT廠商還將通過把現(xiàn)在的150mm和200mm晶圓增至300mm來削減成本。
    選擇IGBT的企業(yè)為滿足其產(chǎn)品的設(shè)計(jì)，技術(shù)人員選擇IGBT并不一定是為了確保性能。在以減小尺寸、減輕重量以及提高系統(tǒng)效率和可靠性為目的、高成 本被認(rèn)為具有合理性的情況下，革新型IGBT就會(huì)被采用。比如高檔混合動(dòng)力車等。另外，IGBT還會(huì)被用于輸電網(wǎng)供電等高壓用途以及低壓消費(fèi)類電子產(chǎn)品。 另一方面，基本配置的純電動(dòng)汽車會(huì)使用中國廠商生產(chǎn)的質(zhì)量達(dá)到平均水平的模塊。
    選擇IGBT設(shè)計(jì)材料上企業(yè)也有相應(yīng)的改變，通常的IGBT是利用硅外延片制造的，硅外延片是利用Czochralski法生長出晶體、將其切片制成 硅晶圓、再在硅晶圓上生長出外延層制成的。最近，利用垂直懸浮區(qū)熔法制備的NTD（中子嬗變摻雜）硅晶圓越來越多地被用來制造IGBT。NTD是利用核反 應(yīng)使單晶硅中的Si30嬗變成磷原子而實(shí)現(xiàn)在硅中摻雜磷的方法。由于NTD硅錠的電阻率均一，因此能夠?qū)崿F(xiàn)高性能高壓IGBT。切出硅晶片后不需要外延， 因此能大幅削減晶圓厚度。這樣，一個(gè)硅錠可生產(chǎn)出的晶圓數(shù)量增加，從而可以削減成本�，F(xiàn)在，NTD晶圓只在能夠大幅提高性能時(shí)采用，因?yàn)槠鋬r(jià)格還很高。由 于還沒有可處理大于200mm硅錠的反應(yīng)堆，因此沒有出現(xiàn)過渡到300mm晶圓的趨勢。
    市場的未來走勢證實(shí)削減成本越來越重要，因此中國很快會(huì)給IGBT領(lǐng)域帶來影響。株洲南車時(shí)代電氣股份有限公司通過收購丹尼克斯半導(dǎo)體公司 （Dynex Semiconductor）獲得了IGBT相關(guān)技術(shù)。比亞迪已具備制造二極管的能力，將于2013年第三季度之前開始制造自主開發(fā)的IGBT。在中國其 他地區(qū)，IGBT將以聞所未聞的制造模式開始生產(chǎn)，也就是高質(zhì)量制造出基礎(chǔ)器件，然后委托代工企業(yè)生產(chǎn)的模式。發(fā)展藍(lán)圖中包含了IGBT工藝的中國代工企 業(yè)有華潤上華、中芯國際、宏力半導(dǎo)體及華虹NEC等公司。這將給自行制造IGBT的廠商帶來一定壓力，他們能否生存下去主要取決于芯片級別的技術(shù)革新和模 塊級別的封裝技術(shù)。
    封裝技術(shù)能使多種器件在一個(gè)模塊中使用，這樣隨著模塊發(fā)展迅速，封裝技術(shù)的重要性正在以驚人的速度提高。比如，IGBT與SJ-MOSFET組合及 IGBT與SiC二極管組合等。這些器件的耐溫和支持頻率不同，因此在芯片鍵合后的Cu基板階段、冷卻階段及芯片安裝階段需要技術(shù)革新。另外，在布線階段 也需要技術(shù)革新。存在的課題包括，要繼續(xù)使用引線鍵合嗎?如果是的話，是使用鋁線還是銅線?是采用帶式焊接（Ribbon Bonding）還是銅凸點(diǎn)?
    部分相關(guān)領(lǐng)域的發(fā)展，其帶動(dòng)的技術(shù)進(jìn)步將使IGBT再次走上增長之路。由于風(fēng)力發(fā)電渦輪機(jī)、可再生能源及鐵路領(lǐng)域在2011年表現(xiàn)低迷，IGBT市場 在2012年出現(xiàn)了減速。之所以在一年后才表現(xiàn)出影響，是因?yàn)檫@些器件和模塊有庫存而且這些器件的生產(chǎn)周期長。各種IGBT器件和IGBT模塊的銷售額在 2011年為35億美元，未來的增長趨勢將出現(xiàn)不規(guī)則變化。
    根據(jù)近幾年的IGBT器件走勢和未來市場的需求以及政策的規(guī)劃，預(yù)計(jì)2013年IGBT相關(guān)產(chǎn)品將有小幅度的提升。隨后在2014年增長趨勢將減緩，待全球經(jīng)濟(jì)復(fù)蘇并穩(wěn)定后，會(huì)出現(xiàn)新的穩(wěn)定增長。
    隨著全球在交通領(lǐng)域的支出削減，一場牽扯到IGBT的制造商家的經(jīng)濟(jì)風(fēng)暴即將掀起關(guān)于市場份額的競爭和技術(shù)開發(fā)的競爭，更多的商家則選擇了在IGBT的功率電子領(lǐng)域展開廝殺，共同角逐IGBT行業(yè)的先導(dǎo)者。
第二節(jié) 2015-2020年IGBT產(chǎn)品發(fā)展趨勢分析 141
一、2015-2020年IGBT產(chǎn)品技術(shù)趨勢分析 141
二、2015-2020年IGBT產(chǎn)品價(jià)格趨勢分析 143
第三節(jié) 2015-2020年中國IGBT行業(yè)供需預(yù)測 143
一、2015-2020年中國IGBT供給預(yù)測 143
二、2015-2020年中國IGBT需求預(yù)測 144
第四節(jié) 2015-2020年IGBT行業(yè)規(guī)劃建議 144

第十三章 博思數(shù)據(jù)關(guān)于IGBT企業(yè)管理策略建議 146

    本研究咨詢報(bào)告由博思數(shù)據(jù)領(lǐng)銜撰寫，在大量周密的市場調(diào)研基礎(chǔ)上，主要依據(jù)了國家統(tǒng)計(jì)局、國家商務(wù)部、國家發(fā)改委、國家經(jīng)濟(jì)信息中心、國務(wù)院發(fā)展 研究中心、國家海關(guān)總署、知識產(chǎn)權(quán)局、博思數(shù)據(jù)提供的最新行業(yè)運(yùn)行數(shù)據(jù)為基礎(chǔ)，驗(yàn)證于與我們建立聯(lián)系的全國科研機(jī)構(gòu)、行業(yè)協(xié)會(huì)組織的權(quán)威統(tǒng)計(jì)資 料。
    報(bào)告揭示了IGBT行業(yè)市場潛在需求與市場機(jī)會(huì)，報(bào)告對IGBT行業(yè)做了重點(diǎn)企業(yè)經(jīng)營狀況分析，并分析了中國IGBT行業(yè)發(fā)展前景預(yù)測。為戰(zhàn)略投資者選擇恰 當(dāng)?shù)耐顿Y時(shí)機(jī)和公司領(lǐng)導(dǎo)層做戰(zhàn)略規(guī)劃提供準(zhǔn)確的市場情報(bào)信息及科學(xué)的決策依據(jù)，同時(shí)對銀行信貸部門也具有極大的參考價(jià)值。